casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA2152Z0L
Número da peça de fabricante | DRA2152Z0L |
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Número da peça futura | FT-DRA2152Z0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRA2152Z0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 5.1 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini3-G3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2152Z0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRA2152Z0L-FT |
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTB123ES,126
NXP USA Inc.
PDTB123TS,126
NXP USA Inc.
PDTB123YS,126
NXP USA Inc.
PDTC114ES,126
NXP USA Inc.
PDTC114TS,126
NXP USA Inc.
PDTC114YS,126
NXP USA Inc.
PDTC115ES,126
NXP USA Inc.
PDTC115TS,126
NXP USA Inc.
PDTC123ES,126
NXP USA Inc.
XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
Intel
5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel