casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTB123ES,126
Número da peça de fabricante | PDTB123ES,126 |
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Número da peça futura | FT-PDTB123ES,126 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDTB123ES,126 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB123ES,126 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTB123ES,126-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
ON Semiconductor
FJN3305RBU
ON Semiconductor
FJN3306RBU
ON Semiconductor
FJN3307RBU
ON Semiconductor
FJN3308RBU
ON Semiconductor
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2LN
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation