casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DN1509N8-G
Número da peça de fabricante | DN1509N8-G |
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Número da peça futura | FT-DN1509N8-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DN1509N8-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 90V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 360mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 200mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Recurso FET | Depletion Mode |
Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-243AA (SOT-89) |
Pacote / caso | TO-243AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN1509N8-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DN1509N8-G-FT |
PSMN1R7-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R8-40YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R9-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN2R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLE,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R2-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-40YSDX
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.