casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN2R0-30YL,115
Número da peça de fabricante | PSMN2R0-30YL,115 |
---|---|
Número da peça futura | FT-PSMN2R0-30YL,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PSMN2R0-30YL,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 12V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 97W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacote / caso | SC-100, SOT-669 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R0-30YL,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN2R0-30YL,115-FT |
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y22-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y22-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y25-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y25-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y27-40B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y29-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y38-100E,115
Nexperia USA Inc.
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel