casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP1011UCB9-7
Número da peça de fabricante | DMP1011UCB9-7 |
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Número da peça futura | FT-DMP1011UCB9-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMP1011UCB9-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | -6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 4V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 890mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U-WLB1515-9 |
Pacote / caso | 9-UFBGA, WLBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP1011UCB9-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMP1011UCB9-7-FT |
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH12008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R403NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2900ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2R306NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2R506PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
LFEC3E-4T144C
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A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel