casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN3900UFA-7B
Número da peça de fabricante | DMN3900UFA-7B |
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Número da peça futura | FT-DMN3900UFA-7B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMN3900UFA-7B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 550mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 42.2pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 390mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | X2-DFN0806-3 |
Pacote / caso | 3-XFDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3900UFA-7B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMN3900UFA-7B-FT |
DMN3009SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFG-7
Diodes Incorporated
DMN3030LFG-7
Diodes Incorporated
DMN10H120SFG-7
Diodes Incorporated
DMPH6050SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMG7408SFG-7
Diodes Incorporated
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated
DMN3009SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3024SFG-7
Diodes Incorporated
DMN3025LFG-13
Diodes Incorporated
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel