casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / DMN3012LDG-7
Número da peça de fabricante | DMN3012LDG-7 |
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Número da peça futura | FT-DMN3012LDG-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMN3012LDG-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 20A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V |
Potência - Max | 2.2W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerLDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerDI3333-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3012LDG-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMN3012LDG-7-FT |
DMN3022LFG-13
Diodes Incorporated
SQ1902AEL-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ942EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
ZXMN3AMCTA
Diodes Incorporated
SQ4282EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4532AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4937EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN3016LDV-7
Diodes Incorporated
STL20DNF06LAG
STMicroelectronics
XCS30XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXEA5N2F40C1N
Intel
5SGXMA7K3F40C2N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel
10AX066N4F40I3LG
Intel