casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SQ4532AEY-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQ4532AEY-T1_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQ4532AEY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ4532AEY-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V |
Potência - Max | 3.3W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ4532AEY-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQ4532AEY-T1_GE3-FT |
FDMD8630
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