casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN2013UFDE-7
Número da peça de fabricante | DMN2013UFDE-7 |
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Número da peça futura | FT-DMN2013UFDE-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMN2013UFDE-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25.8nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2453pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 660mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2013UFDE-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMN2013UFDE-7-FT |
DMP3056LSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSSA-13
Diodes Incorporated
DMG4435SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4712SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4812SSS-13
Diodes Incorporated
DMN3016LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3015LSS-13
Diodes Incorporated
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel