casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMG7N65SCTI
Número da peça de fabricante | DMG7N65SCTI |
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Número da peça futura | FT-DMG7N65SCTI |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DMG7N65SCTI Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 28W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG7N65SCTI Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMG7N65SCTI-FT |
BSC059N03ST
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BSD816SNH6327XTSA1
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XC7S100-2FGGA484I
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Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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