casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSD816SNH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSD816SNH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSD816SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSD816SNH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT363-6 |
Pacote / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD816SNH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSD816SNH6327XTSA1-FT |
APT6040BN
Microsemi Corporation
APT6040BNG
Microsemi Corporation
APT70SM70B
Microsemi Corporation
APT70SM70S
Microsemi Corporation
APT8075BN
Microsemi Corporation
APT80SM120B
Microsemi Corporation
APT80SM120S
Microsemi Corporation
APTC60DAM24CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM35T1G
Microsemi Corporation
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
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