casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / DMG5802LFX-7
Número da peça de fabricante | DMG5802LFX-7 |
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Número da peça futura | FT-DMG5802LFX-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMG5802LFX-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 24V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31.3nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1066.4pF @ 15V |
Potência - Max | 980mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-VFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | W-DFN5020-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG5802LFX-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMG5802LFX-7-FT |
FDMS7606
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A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
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5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
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EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
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