casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / DME914C10R
Número da peça de fabricante | DME914C10R |
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Número da peça futura | FT-DME914C10R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DME914C10R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 300MHz |
Potência - Max | 125mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSMini6-F3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME914C10R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DME914C10R-FT |
UMG7NTR
Rohm Semiconductor
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