casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / DMA506010R
Número da peça de fabricante | DMA506010R |
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Número da peça futura | FT-DMA506010R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMA506010R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMini6-F3-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA506010R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMA506010R-FT |
ULN2003V12DR
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AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
5CEFA7F27C7N
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EP3C5U256A7N
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5SGSMD5K1F40C2L
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5SGXMB5R3F40I3LN
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XC7A35T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFXP3C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGES
Intel
EP4CE75F29C7
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