casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE252012F-3R3M=P2
Número da peça de fabricante | DFE252012F-3R3M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE252012F-3R3M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252012F |
DFE252012F-3R3M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.8A |
Atual - saturação | 2.8A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 135 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012F-3R3M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE252012F-3R3M=P2-FT |
1269AS-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R47M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation