Número da peça de fabricante | DF1506M |
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Número da peça futura | FT-DF1506M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DF1506M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF1506M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DF1506M-FT |
GBJ802-F
Diodes Incorporated
GBJ1002-F
Diodes Incorporated
GBJ601-F
Diodes Incorporated
GBJ1001-F
Diodes Incorporated
GBJ801-F
Diodes Incorporated
GBJ806-F
Diodes Incorporated
GBJ2004-F
Diodes Incorporated
GBJ604-F
Diodes Incorporated
GBJ2002-F
Diodes Incorporated
GBJ2501-F
Diodes Incorporated
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel