casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ1001-F
Número da peça de fabricante | GBJ1001-F |
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Número da peça futura | FT-GBJ1001-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ1001-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1001-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ1001-F-FT |
MB3505
Diodes Incorporated
MB3505-F
Diodes Incorporated
MB351
Diodes Incorporated
MB351-F
Diodes Incorporated
MB3510
Diodes Incorporated
MB352
Diodes Incorporated
MB352-F
Diodes Incorporated
MB354
Diodes Incorporated
MB354-F
Diodes Incorporated
MB356
Diodes Incorporated
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel