Número da peça de fabricante | DF02S-T |
---|---|
Número da peça futura | FT-DF02S-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DF02S-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DF-S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF02S-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DF02S-T-FT |
KBU1001-G
Comchip Technology
KBU1002-G
Comchip Technology
KBU1006-G
Comchip Technology
KBU1008-G
Comchip Technology
KBU2501-G
Comchip Technology
KBU2502-G
Comchip Technology
KBU2506-G
Comchip Technology
KBU2508-G
Comchip Technology
KBU3501-G
Comchip Technology
KBU3502-G
Comchip Technology
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel