casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / KBU1001-G
Número da peça de fabricante | KBU1001-G |
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Número da peça futura | FT-KBU1001-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KBU1001-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, KBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | KBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU1001-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KBU1001-G-FT |
SCBH15FF
Semtech Corporation
SCBH2
Semtech Corporation
SCBH2F
Semtech Corporation
SCBH4
Semtech Corporation
SCBH4F
Semtech Corporation
SCBK15FF
Semtech Corporation
SCBK2
Semtech Corporation
SCBK4F
Semtech Corporation
SCBK6
Semtech Corporation
SCBK8
Semtech Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel