casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DDTC115EE-7-F
Número da peça de fabricante | DDTC115EE-7-F |
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Número da peça futura | FT-DDTC115EE-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DDTC115EE-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 100 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-523 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC115EE-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DDTC115EE-7-F-FT |
BCR 179F E6327
Infineon Technologies
BCR 183F E6327
Infineon Technologies
BCR 189F E6327
Infineon Technologies
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
BCR 192F E6327
Infineon Technologies
BCR 196F E6327
Infineon Technologies
BCR 198F E6327
Infineon Technologies
BCR 199F E6327
Infineon Technologies
BCR 101T E6327
Infineon Technologies
BCR 103T E6327
Infineon Technologies
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8N
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5CEBA2U15I7
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Intel