casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR 189F E6327
Número da peça de fabricante | BCR 189F E6327 |
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Número da peça futura | FT-BCR 189F E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR 189F E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSFP-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 189F E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR 189F E6327-FT |
PDTA123JQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTA124EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTA143EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTA143XQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTA143ZQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTA144EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB113EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB113ZQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB114EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB123EQAZ
Nexperia USA Inc.
XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672C6
Intel
5SGSED6N2F45C2LN
Intel
XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel