casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DDTC114GE-7-F
Número da peça de fabricante | DDTC114GE-7-F |
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Número da peça futura | FT-DDTC114GE-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DDTC114GE-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-523 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC114GE-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DDTC114GE-7-F-FT |
BCR 183F E6327
Infineon Technologies
BCR 189F E6327
Infineon Technologies
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
BCR 192F E6327
Infineon Technologies
BCR 196F E6327
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BCR 198F E6327
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BCR 199F E6327
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BCR 101T E6327
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BCR 103T E6327
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BCR 108T E6327
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LCMXO2-4000HE-5TG144C
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5CGXFC9D6F27I7N
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Lattice Semiconductor Corporation