casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DDTB123YC-7-F
Número da peça de fabricante | DDTB123YC-7-F |
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Número da peça futura | FT-DDTB123YC-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DDTB123YC-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB123YC-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DDTB123YC-7-F-FT |
DDTC142TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA113TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA113ZE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123TE-7-F
Diodes Incorporated
XC6SLX45T-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-3FG900C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5AF256I8N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020I6N
Intel