casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DDTA123EE-7-F
Número da peça de fabricante | DDTA123EE-7-F |
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Número da peça futura | FT-DDTA123EE-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DDTA123EE-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-523 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123EE-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DDTA123EE-7-F-FT |
BCR 192T E6327
Infineon Technologies
BCR 196T E6327
Infineon Technologies
BCR 198T E6327
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BCR 199T E6327
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A3P030-1QNG68
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10M50DAF256C6GES
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5SGSMD4K3F40I3N
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XC7VX415T-3FFG1157E
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XC6VLX550T-2FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC240-1N
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