casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DDTB122TC-7
Número da peça de fabricante | DDTB122TC-7 |
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Número da peça futura | FT-DDTB122TC-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DDTB122TC-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB122TC-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DDTB122TC-7-FT |
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 103F E6327
Infineon Technologies
BCR 108F E6327
Infineon Technologies
BCR 112F E6327
Infineon Technologies
BCR 114F E6327
Infineon Technologies
BCR 116F E6327
Infineon Technologies
BCR 119F E6327
Infineon Technologies
BCR 129F E6327
Infineon Technologies
BCR 133F B6327
Infineon Technologies
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU025-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
5SGXMA5K3F35C4N
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LFXP2-17E-5QN208C
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LCMXO2-4000ZE-3BG332C
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10AX057K2F40I1SG
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