casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR 116F E6327
Número da peça de fabricante | BCR 116F E6327 |
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Número da peça futura | FT-BCR 116F E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR 116F E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSFP-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 116F E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR 116F E6327-FT |
PDTC114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123JMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC124EMB,315
Nexperia USA Inc.
XC2V500-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1517I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP1C6Q240C6
Intel