Número da peça de fabricante | DB107TB |
---|---|
Número da peça futura | FT-DB107TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB107TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DB-M |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB107TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB107TB-FT |
GBJ20005TB
SMC Diode Solutions
GBJ2001TB
SMC Diode Solutions
GBJ2002TB
SMC Diode Solutions
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions
GBJ2008TB
SMC Diode Solutions
GBJ25005TB
SMC Diode Solutions
GBJ2501TB
SMC Diode Solutions
GBJ2502TB
SMC Diode Solutions
GBJ2504TB
SMC Diode Solutions
GBJ2508TB
SMC Diode Solutions
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel