casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / FBO16-12N
Número da peça de fabricante | FBO16-12N |
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Número da peça futura | FT-FBO16-12N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FBO16-12N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 22A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.43V @ 20A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | i4-Pac™-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FBO16-12N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FBO16-12N-FT |
VBO52-08NO7
IXYS
VBO52-12NO7
IXYS
VBO52-16NO7
IXYS
VBO52-18NO7
IXYS
VBO72-08NO7
IXYS
VBO72-12NO7
IXYS
VBO72-16NO7
IXYS
VBO72-18NO7
IXYS
VUO62-08NO7
IXYS
VUO62-12NO7
IXYS
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel