Número da peça de fabricante | DB102TB |
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Número da peça futura | FT-DB102TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB102TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DB-M |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB102TB-FT |
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions
GBJ2008TB
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GBJ25005TB
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GBJ2501TB
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GBJ2502TB
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GBJ2504TB
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GBJ2508TB
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GBJ35005TB
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GBJ3501TB
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GBJ3502TB
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel