Número da peça de fabricante | DB101-G |
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Número da peça futura | FT-DB101-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB101-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB101-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB101-G-FT |
DF1504M
Diodes Incorporated
DF1506M
Diodes Incorporated
DF1508M
Diodes Incorporated
DF1510M
Diodes Incorporated
T483A
Sensata-Crydom
M5060TB1400
Sensata-Crydom
M50100SB1200
Sensata-Crydom
M50100SB1600
Sensata-Crydom
M50100SB1000
Sensata-Crydom
M50100SB200
Sensata-Crydom
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel