casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CY62167G30-55BVXE
Número da peça de fabricante | CY62167G30-55BVXE |
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Número da peça futura | FT-CY62167G30-55BVXE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MoBL® |
CY62167G30-55BVXE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62167G30-55BVXE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CY62167G30-55BVXE-FT |
DS1230W-150+
Maxim Integrated
DS1230Y-85+
Maxim Integrated
DS1225AB-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-150+
Maxim Integrated
DS1225AD-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-150IND+
Maxim Integrated
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel