casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1225AB-200IND+
Número da peça de fabricante | DS1225AB-200IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1225AB-200IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1225AB-200IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 64Kb (8K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 200ns |
Tempo de acesso | 200ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1225AB-200IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1225AB-200IND+-FT |
MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256D08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel