casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CY62147GN18-55BVXIT
Número da peça de fabricante | CY62147GN18-55BVXIT |
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Número da peça futura | FT-CY62147GN18-55BVXIT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MoBL® |
CY62147GN18-55BVXIT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GN18-55BVXIT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CY62147GN18-55BVXIT-FT |
DS1225AB-200+
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DS1225AD-170+
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DS1230AB-85+
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DS1225Y-150IND+
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DS1225Y-200+
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DS1230AB-200IND
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CY7C1021BNV33L-15BAI
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CY7C10212CV33-12BAXET
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CY62136VNLL-70BAXAT
Cypress Semiconductor Corp
APA750-FG896A
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Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
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10AX027H2F35I2LG
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LCMXO2-4000HE-6FG484C
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EP2AGX190FF35C4N
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5CEFA2M13C8N
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EP4SGX110FF35C2XN
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