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Número da peça de fabricante | DS1230AB-200IND |
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Número da peça futura | FT-DS1230AB-200IND |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1230AB-200IND Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 200ns |
Tempo de acesso | 200ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-200IND Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1230AB-200IND-FT |
MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0D08BMA45R
Everspin Technologies Inc.
MR0DL08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0DL08BMA45R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel