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Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3

Name: SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF00DN-T1-GE3
Price: 0.557992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (369 reviews)

Número da peça MFG: SISF00DN-T1-GE3

Quantidade disponível: 79820 Peças

Preço de referência: USD 0.557992

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SISF00DN-T1-GE3.pdf

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SISF00DN-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SISF00DN-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SISF00DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET® Gen IV
SISF00DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V
Potência - Max	69.4W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	PowerPAK® 1212-8SCD
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® 1212-8SCD
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISF00DN-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SISF00DN-T1-GE3-FT

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