casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD25304W1015
Número da peça de fabricante | CSD25304W1015 |
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Número da peça futura | FT-CSD25304W1015 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD25304W1015 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 750mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DSBGA |
Pacote / caso | 6-UFBGA, DSBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25304W1015 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD25304W1015-FT |
TPH8R008NH,L1Q
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TK12V60W,LVQ
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M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
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5SGSMD4K2F40I3LN
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