casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD22202W15
Número da peça de fabricante | CSD22202W15 |
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Número da peça futura | FT-CSD22202W15 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD22202W15 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | -6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 4V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 9-DSBGA |
Pacote / caso | 9-UFBGA, DSBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD22202W15 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD22202W15-FT |
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R403NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R712MD,L1Q
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TPH2010FNH,L1Q
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TPH2900ENH,L1Q
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TPH2R306NH,L1Q
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TPH2R506PL,L1Q
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TPH2R608NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3300CNH,L1Q
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TPH3R704PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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LFE3-95EA-6FN672I
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LFE3-35EA-8FN484I
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LCMXO3L-4300E-6MG121I
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5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
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EP20K1000EFC33-3
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