casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD18536KCS
Número da peça de fabricante | CSD18536KCS |
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Número da peça futura | FT-CSD18536KCS |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD18536KCS Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11430pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18536KCS Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD18536KCS-FT |
TK31V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60X,LQ
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XC4052XL-2HQ304I
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LCMXO3LF-1300E-5MG121C
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10AX016E4F29E3SG
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