casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD13306WT
Número da peça de fabricante | CSD13306WT |
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Número da peça futura | FT-CSD13306WT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD13306WT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.9W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DSBGA (1x1.5) |
Pacote / caso | 6-UFBGA, DSBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD13306WT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD13306WT-FT |
TPH7R006PL,L1Q
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SSM6J771G,LF
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TK10V60W,LVQ
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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EP20K200EBC356-1
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