casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q1N5SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q1N5SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q1N5SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q1N5SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.5nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 440mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | 19 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N5SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q1N5SNC-FT |
CIGT201210UH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR16MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel