casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201610UM1R0MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201610UM1R0MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201610UM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201610UM1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.1A |
Atual - saturação | 3.1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 57 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UM1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201610UM1R0MNE-FT |
CIG22B1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MNE
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CIG22B3R3MAE
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CIG22B3R3MNE
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CIG22B4R7MAE
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CIG22BR27MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR33MNE
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CIG22BR47MNE
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
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M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation