casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW201610GH4R7MLE
Número da peça de fabricante | CIGW201610GH4R7MLE |
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Número da peça futura | FT-CIGW201610GH4R7MLE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW201610GH4R7MLE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | 2A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 279 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GH4R7MLE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW201610GH4R7MLE-FT |
CIGT252010EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM1R0MNE
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CIG22H2R2MAE
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CIG22B4R7MNE
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CIGT252012LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L4R7MNE
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CIGT252010LMR24MNE
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CIGT252010EH1R0MNE
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EP3CLS200F484I7
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EP3C10E144I7N
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5SGXMA4K1F35I2N
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XC4010XL-09BG256C
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XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
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A42MX09-2PQ160
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LFEC6E-4F256C
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EP1C4F324I7N
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EPF10K200SRC240-3
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