casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / CDBHD2100-G
Número da peça de fabricante | CDBHD2100-G |
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Número da peça futura | FT-CDBHD2100-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CDBHD2100-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Schottky |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 1A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini-Dip (TO-269AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBHD2100-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CDBHD2100-G-FT |
GBJ804
Diodes Incorporated
GBJ806
Diodes Incorporated
GBJ810
Diodes Incorporated
DF1502S-T
Diodes Incorporated
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
DF1504S-T
Diodes Incorporated
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel