casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / CDBGBSC20650-G
Número da peça de fabricante | CDBGBSC20650-G |
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Número da peça futura | FT-CDBGBSC20650-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CDBGBSC20650-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 33A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 650V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC20650-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CDBGBSC20650-G-FT |
PD412211
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