casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / PN410611
Número da peça de fabricante | PN410611 |
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Número da peça futura | FT-PN410611 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PN410611 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 1200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3000A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 22µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200mA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | POW-R-BLOK™ Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN410611 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PN410611-FT |
SET031003
Semtech Corporation
SET031004
Semtech Corporation
SET031011
Semtech Corporation
SET031012
Semtech Corporation
SET031023
Semtech Corporation
SET040103
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SET040104
Semtech Corporation
SET040111
Semtech Corporation
SET040112
Semtech Corporation
SET040123
Semtech Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
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Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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