casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / CDBGBSC201200-G
Número da peça de fabricante | CDBGBSC201200-G |
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Número da peça futura | FT-CDBGBSC201200-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CDBGBSC201200-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 25.9A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC201200-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CDBGBSC201200-G-FT |
PD412011
Powerex Inc.
PD412211
Powerex Inc.
PD412411
Powerex Inc.
PN410611
Powerex Inc.
PN410811
Powerex Inc.
PN411011
Powerex Inc.
PN411211
Powerex Inc.
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
PN411811
Powerex Inc.
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation