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Comchip Technology CDBGBSC101200-G
- Número da peça MFG
- CDBGBSC101200-G
- Quantidade disponível
- 48990 Peças
- Preço de referência
- USD 5.586
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Comchip Technology
- Descrição breve
- - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Diodos - Retificadores - Matrizes
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- CDBGBSC101200-G.pdf
CDBGBSC101200-G Especificações
| Número da peça de fabricante | CDBGBSC101200-G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-CDBGBSC101200-G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| CDBGBSC101200-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 18A (DC) |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-247-3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CDBGBSC101200-G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | CDBGBSC101200-G-FT |
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