casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / CAS325M12HM2
Número da peça de fabricante | CAS325M12HM2 |
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Número da peça futura | FT-CAS325M12HM2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Z-REC™ |
CAS325M12HM2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Recurso FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 444A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 105mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 3000W |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAS325M12HM2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CAS325M12HM2-FT |
FDMS3626S
ON Semiconductor
FDMS3606AS
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XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.