casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZX384B3V0-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZX384B3V0-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZX384B3V0-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZX384B3V0-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384B3V0-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZX384B3V0-HE3-18-FT |
BZX384C5V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C5V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B10-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B10-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B10-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation