casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZX384B10-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZX384B10-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZX384B10-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZX384B10-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200nA @ 7V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384B10-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZX384B10-HE3-18-FT |
Z4KE180AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE180AHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE180HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE180HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE200-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE200-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE200A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE200A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE200AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
Z4KE200AHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation